申請號：CN01100449.5
申請日：2001-01-12
公開(公告)號：CN1364745
公開(公告)日：2002-08-21
主分類號：C04B35/56
分類號：C04B35/56;C04B35/64
頒證日：
優先權：
申請(專利權)人：北京科技大學
地址：100083北京市海淀學院路30號
發明(設計)人： 葛昌純;曹文斌;沈衛平;李江濤;武安華
國際公布：
進入國家日期：
專利代理機構：北京科大華誼專利代理事務所
代理人： 劉月娥
內容簡介本發明涉及一種通過成分分布設計和熱壓燒結方法制備SiC/C和B4C/C功能梯度材料的方法。特征在于，向低原子序數陶瓷－碳塊體梯度材料原料中加入燒結助劑,對于SiC/C FGM,采用活性碳粉和B粉作SiC的燒結助劑,SiC的燒結助劑B+C含量應在1－10wt%(重量百分比),碳材料添加劑B的含量應在1－10wt%。B4C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用線性成分分布設計,B4C/C FGM采用S型成分分布設計。在氬氣氣氛中,壓力為15－50MPa、溫度為1900℃－2200℃,保溫1－3小時。優點在于，具有優良的耐高溫等離子體沖刷,抗熱沖擊和耐化學濺射性能。
所需耐材幣：0
