申請(qǐng)?zhí)枺?/strong>CN202311263799.9
申請(qǐng)日：2023-09-27
公開(公告)號(hào)：CN117401988A
公開(公告)日：2024-01-16
主分類號(hào)：C04B35/66
分類號(hào)：C04B35/66;C04B35/565;F27D5/00
頒證日：
優(yōu)先權(quán)：
申請(qǐng)(專利權(quán))人：北京科技大學(xué);中鋼集團(tuán)洛陽(yáng)耐火材料研究院有限公司
地址：100083 北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號(hào)
發(fā)明(設(shè)計(jì))人：李勇;韓基鑠;李紅霞;馬晨紅
國(guó)際公布：
進(jìn)入國(guó)家日期：
專利代理機(jī)構(gòu)：北京市廣友專利事務(wù)所有限責(zé)任公司
代理人：張仲波
內(nèi)容簡(jiǎn)介摘要： 一種不燒Si-SiC窯具及其制備方法,屬于耐火材料領(lǐng)域。所述窯具由如下原料組成：75～97wt％的碳化硅、3～25wt％的硅粉,外加3～5wt％的酚醛樹脂或糊精作為結(jié)合劑。將上述原料與結(jié)合劑經(jīng)配料并均勻混合后,機(jī)壓成型并于200℃～300℃干燥12h～48h,制得不燒Si-SiC窯具。本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中Si-3N-4結(jié)合SiC窯具在高溫含氧氣氛條件下服役時(shí)發(fā)生氧化進(jìn)而導(dǎo)致窯具表面開裂、顆粒脫落等問(wèn)題使其無(wú)法正常使用,將Si直接作為原料與SiC結(jié)合,使其在服役過(guò)程中利用Si的高親氧性,優(yōu)先發(fā)生氧化并逐漸轉(zhuǎn)化為SiO-2-SiC窯具,解決了SiC基體氧化所帶來(lái)制品開裂的問(wèn)題,延長(zhǎng)窯具的使用壽命。相較于目前Si-3N-4結(jié)合SiC窯具其復(fù)雜的制備工藝,本發(fā)明省去了傳統(tǒng)窯具的預(yù)燒結(jié)工序,實(shí)現(xiàn)了綠色節(jié)能化制備SiC質(zhì)窯具。
所需耐材幣：0
