原文標準名稱：半導體級單晶硅生長用合成石英坩堝
英文標準名稱：Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth
中文主題詞：合成石英坩堝
英文主題詞：
標準號：T/NXCL 28—2024
標準狀態：現行
國別：中國
發布日期：2024-02-06
實施或試行日期：2024-02-06
發布單位：寧夏材料研究學會
起草單位：寧夏盾源聚芯半導體科技股份有限公司、寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司、寧夏大學、寧夏高創特能源科技有限公司、寧夏旭櫻新能源科技有限公司
標準類型：產品
標準水平：國內先進
中國標準分類號：
國際標準分類號：29.045
頁數：0
正文語種：中文
內容簡介本文件規定了半導體級單晶硅生長用合成石英坩堝的術語和定義、規格尺寸、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和貯存等方面的內容。 本文件適用于合成石英砂（成分：二氧化硅）為內層原料，采用電弧熔融法工藝生產，應用于直拉法半導體級單晶硅生長的石英坩堝。
所需耐材幣：0
